FET特性(특성) 및 증폭기
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작성일 20-12-23 17:28본문
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그래서 초기에는 각변이 5 mm 정도의 웨이퍼에 수백 개의 FET를 형성할 수 있었으며, 점차 집적도가 높아져 갔다.
실효단면적을 change(변화)시키는 것과(접합형 FET) 채널캐리어의 농도를 change(변화)시키는 방법(MOS FET)으로 나눌 수 있다 W.쇼클레이 등이 transistor를 발명한 동기는 FET를 만들기 위해서였는데, 실제로는 프랑스의 S.테츠너가 테크네트론으로서 실현하였다.
- FET의 종류
① FET는 접합형과 절연 게이트형(MOS형)이 있고, 다시 각각 n채널형과 p채널형으로 나눈다.
2. FET 내부에서의 전자 움직임
① 공핍층(depletion layer) : pn접합면에는 역전압이 가해져 있으므로 접합면 가까이의 자유 전자가 없는 영역.
② 채널(channel) : n형 반도체 내에서 공핍층을 제외한 영역은 VDS에 의해 자유 전자가 이동하는 영역.
③…(생략(省略))
다. 원리는 반도체의 소스(source)에서 집전극(集電極)의 드레인(drain)에 흐르는 전자류(電子流)를 게이트(gate)에 가한 전압에 의한 전기장으로 제어하는 것이다.설명
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1. 관련 이론(理論)
전기장 效果 transistor(FET: field effect transistor)
: 단극(單極)transistor 또는 FET라고도 한다. 즉, 채널의 저항을 change(변화)시켜 다수 캐리어의 흐름을 제어하는 것이다. 그 후 황화카드뮴 박막(薄膜)을 사용하는 것과, 또 실리콘 표면에 산화막을 만들고 그 위에 제어용 전극(게이트)을 만든 MOS(metal oxide semiconductor)형이 만들어져서 대규모 집적회로가 제작되었다.
- 접합형 FET에 흐르는 전류
1. 전압을 가하는 방법과 흐르는 전류
VDS가 작을 때 ID는 VDS이 비례하나, VDS가 어느값 이상 커지면 ID는 VDS에 그다지 influence을 받지 않고 포화되어 VGS에 의해 크게 change(변화)한다.
② 전극명은 드레인(D:drain), 소스(S:source) 및 게이트(G:gate)로 3단자이다.