반도체 다이오드 속성 test(실험)
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작성일 20-01-20 00:07본문
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반도체 다이오드 속성 test(실험)
1. 실험 목적
2. 원리
(1) 이상적인 반도체 다이오드
(2) 다이오드의 혁명
(3) 다이오드의 파라미터
(4) PN접합 다이오드
(5) 순반향 바이어스된 PN접합 다이오드
(6) 역방향 바이어스된 PN접합 다이오드
(7) 다이오드 property(특성)곡선
(8) 기타
4) PN접합 다이오드
반도체 다이오드들은 PN접합으로 구성되며 사용되는 반도체 물질에 따라서 이상적인 다이오드와 property(특성)이 거의 일치된다 PN접합을 만들면 접합면 부근에 공핍층이 발생되며, 공핍층내에는 이온들이 나타난다.
IS는 온도 10oC상승할 때마다 약 2배씩 증가하며 큰 역방향 전압에서도 어느 한계까지는 크게 증가하지 않는다.
순방향 바이어스된 PN접합 SI다이오드와 그 등가회로는 그림 4와 같다. 단 rB는 다이오드 자체저항(bulk resistance)이다. 그 결과 다이오드에 결과적으로 흐르는 전류 IF는 화살표 방향으로 된다
(6) 역방향 바이어스된 PN접합 다이오드
역방향 바이어스를 다이오드에 가하려면 그림 6과 같이 다이오드의 양극에 외부전원의 -전위를 연결하고 음극에 +전위를 연결한다.
순방향 바이어스된 PN접합 다이오드에 흐르는 전류는 주로 다수 캐리어에 의한 것으로 그림 5와 같이 자유전자는 양극 쪽으로 이동하고 정공은 음극 쪽으로 이동한다. 이 이온들은 접합 양단에 전위차를 발생시키며 Ge다이오드의 경우 약 0.25[V], Si 다이오드의 경우 약 0.6[V]의 전위차가 발생된다
(5) 순반향 바이어스된 PN접합 다이오드
순방향 바이어스를 다이오드에 가하려면 그림 4와 같이 다이오드의 양극에 외부전원의 +전위를 연결하고 음극에 -전위를 연결하면 된다 이 때 직렬저한 Rs를 사용하는 이유는 다이오드를 통하여 흐르는 전류를 제한하기 위함이다. 그 결과 공핍층의 폭이 증가하여 다수 캐리어는 접합을 건너갈 수 없다. 그러나 소수 캐리어는 접합을 넘어가게 된다
음극측의 +전위가 P측 내의 전자를 끌어당기며 양극측의 -전위가 N측 내의 정공을 끌어 당기게 되어 소수 캐리러에 의한 전류가 다이오드 음극에서 양극측으로 흐르며, 이 전류는 IS로 표시한다. , 반도체 다이오드 특성 실험공학기술레포트 ,
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레포트/공학기술
반도체 다이오드의 속성 에 대한 test(실험) 리포트입니다.
(7) 다이오드 property(특성)곡선
전자 부품의 property(특성)은 부품 양단에 가한 전압과 전류에 의하여 그래프로 설명(說明)될 수 있다 다이오…(省略)
,공학기술,레포트
다.
반도체 다이오드의 특성에 대한 실험리포트입니다.