[공학,기술] 전자공학 실험 - MOSFET 증폭회로
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작성일 20-11-30 17:17
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2. experiment(실험) 해설
A. 소신호 동작과 모델
- 활성 영역에서 동작하도록 바이어스된 MOS transistor는 신호를 증폭할 수 있따 소신호 동작에 집중하기 위해 `그림 1`과 같이 직류전압 를 사용하여 동작점을 원리적으로 간단히 설정한다. 그리고 동작점의 이동으로 인한 출력 신호 파형의 alteration(변화) 를 experiment(실험)으로 observe한다.
- 트랜서컨덕턴스를 통하여 게이트와 소스사이의 신호전압 는 드레인 전류 로 변환된다 따라서 신호 관점에서 MOStransistor는 전압 제어 전류 전원을 사용하여 `그림 2`와 같은 모델로 표현될 수 있따
`그림 2` MOStransistor의 소신호 등가모델
- 이 소신호 모델을 하이브리드 파이 모델이라고 하며 `그림 3`과 같은 T 모델로 변환할 수 있따 게이트 신호 전류가 이므로 게이트에서 들여다본 게이트와 소스사이의 등가저항은 무한대이나, 소스에서 들여다본 소스와 게이트 사이의 등가저항은 이 된다
`그림 3` T 등가회로 모델
B. 공통 소스 증폭기
- 공통 소스 증폭기 또는 소스 접지 증폭기(grounded-source ampl…(투비컨티뉴드 )
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다.
`그림 1` 소신호 동작을 설명(explanation)하기 위한 회로
- 드레인 순시전류는 직류전류 , 선형 신호 전류 , 그리고 입력 신호의 제곱에 비례하는 이차 신호 전류의 합으로 표현되는 것을 알 숭 lT다.
- 동작점 Q에서 드레인 신호 전류 와 게이트 신호 전압 의 관계를 나타내는 MOStransistor 트랜스컨덕턴스(transconductance) 은 다음식과 같다. 이 왜곡을 줄이기 위하여 신호 크기는 다음과 같은 소신호 조건을 만족하도록 충분히 작아야 한다.[공학,기술] 전자공학 실험 - MOSFET 증폭회로
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실험결과/기타
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MOSFET 증폭회로
1. experiment(실험) 목적
- MOS 전계 efficacy transistor의 소신호 동작과 등가회로를 이해하고, 공통 소스 증폭기와 공통 드레인 증폭기를 구성하여 증폭현상을 관측하며, 증폭기의 중요한 property(특성)을 측정(測定) 한다. 마지막 항은 출력신호에 비선형 왜곡(nonlinear distortion)을 수반한다.
